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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4902NFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册	+1：￥6.588189 +200：￥2.556769 +500：￥2.461288 +1000：￥2.418852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，13.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.16W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4902NFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.30925 +200：￥3.21975 +500：￥3.105 +1000：￥3.051	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，13.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.16W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4902NFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.326627 +200：￥7.876361 +500：￥7.595653 +1000：￥7.463555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，13.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.16W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFD4902NFT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A，13.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V 功率 - 最大值： 1.1W，1.16W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTMFD4902NFT3G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.3A，13.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1150pF 15V
功率 - 最大值:	1.1W，1.16W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）