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NVMFD5877NLWFT1G_未分类
NVMFD5877NLWFT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Digi-Key
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NVMFD5877NLWFT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
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NVMFD5877NLWFT1G_晶体管
NVMFD5877NLWFT1G
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MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SO-8FL-Dual-8

系列: NVMFD5877NL

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 5.9 nC

Pd-功率耗散: 23 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Dual

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 2 N-Channel

单位重量: 37.400 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NVMFD5877NLWFT1G参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)