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NVMFD5C462NLWFT1G_未分类
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

未分类
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￥24.21483

+200：

￥9.375598

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￥9.04778

+1500：

￥8.883871

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Ta), 84A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300pF 25V

功率 - 最大值： 3W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营 国内现货
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NVMFD5C462NLWFT1G_射频晶体管
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

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射频晶体管
+1500：

￥7.984355

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￥7.300015

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Ta), 84A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300pF 25V

功率 - 最大值： 3W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
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NVMFD5C462NLWFT1G_射频晶体管
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

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射频晶体管
+1500：

￥19.531848

+3000：

￥18.555291

+7500：

￥17.857771

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Ta), 84A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300pF 25V

功率 - 最大值： 3W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

NVMFD5C462NLWFT1G_射频晶体管
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
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MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

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射频晶体管
+1：

￥41.148253

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￥34.175911

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￥27.204997

+500：

￥23.019877

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NVMFD5C462NLWFT1G_射频晶体管
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

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射频晶体管
+1：

￥41.148253

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￥34.175911

+100：

￥27.204997

+500：

￥23.019877

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
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NVMFD5C462NLWFT1G_晶体管
NVMFD5C462NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL

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晶体管
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￥47.038636

+10：

￥38.055563

+100：

￥31.195762

+250：

￥29.725805

+500：

￥26.295903

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-Dual-8

系列： NVMFD5C462NL

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 84 A

Rds On-漏源导通电阻： 3.9 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V

Qg-栅极电荷： 23 nC

Pd-功率耗散： 50 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 6 ns, 6 ns

正向跨导 - 最小值： 70 S, 70 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 16 ns, 16 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 19 ns, 19 ns

典型接通延迟时间： 11 ns, 11 ns

单位重量： 161.193 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿
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NVMFD5C462NLWFT1G_未分类
NVMFD5C462NLWFT1G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

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未分类
+1500：

￥27.872101

+3000：

￥27.592881

+6000：

￥27.316781

+9000：

￥27.043801

+12000：

￥26.77394

库存： 0

货期：7~10 天

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NVMFD5C462NLWFT1G_未分类
NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi(安森美)
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双 N沟道, 40V, DFN-8

未分类
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￥24.912838

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￥20.165669

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￥15.745438

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￥13.142993

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￥12.214484

库存： 0

货期：7~10 天

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NVMFD5C462NLWFT1G_未分类
NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi(安森美)
授权代理品牌

MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 40V, DFN-8

未分类
+1：

￥25.74399

+10：

￥20.827148

+100：

￥16.272719

+500：

￥13.5908

+1500：

￥12.273998

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NVMFD5C462NLWFT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Standard
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A (Ta), 84A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.7mOhm 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300pF 25V
功率 - 最大值: 3W (Ta), 50W (Tc)
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
温度: -55°C # 175°C (TJ)