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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.841414 +10：￥8.365214 +30：￥6.889014 +100：￥6.150914 +500：￥5.658807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.698417 +10：￥5.594762 +30：￥5.048399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L 授权代理品牌	NDT014L VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.255676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDT014L UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	NDT014L UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.764959 +1000：￥0.718886 +2000：￥0.674201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDT014L 授权代理品牌	NDT014L VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.412766 +50：￥1.377458 +200：￥1.295035 +2500：￥1.271535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDT014L 授权代理品牌	NDT014L UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.855716 +1000：￥0.80455 +2000：￥0.754887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDT014L 授权代理品牌	NDT014L JGSEMI/台湾金锆下载数据手册未分类	+1000：￥0.333396 +2000：￥0.327839 +5000：￥0.319505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.389846 +8000：￥2.276072 +12000：￥2.171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT014L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.038985 +8000：￥5.802161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 214 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT014L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	214 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-65°C # 150°C（TJ）