NVMFS4C03NWFT1G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.555743 +10：￥9.135198 +30：￥8.250089 +100：￥7.343125 +500：￥6.927889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.4A（Ta），143A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.71W（Ta），77W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.75875 +200：￥1.84275 +500：￥1.77525 +1000：￥1.74825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.4A（Ta），143A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.71W（Ta），77W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.641163 +200：￥4.507855 +500：￥4.342732 +1000：￥4.276683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.4A（Ta），143A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.71W（Ta），77W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN 下载数据手册未分类	+1500：￥14.652027 +3000：￥13.641645 +7500：￥13.13632 +10500：￥12.631129	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.4A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.1mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.71W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3071 pF @ 15 V
NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥29.860822 +10：￥26.779729 +100：￥21.522866 +500：￥17.683579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.4A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.1mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.71W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3071 pF @ 15 V
NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥29.860822 +10：￥26.779729 +100：￥21.522866 +500：￥17.683579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.4A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.1mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.71W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3071 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS4C03NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL 下载数据手册未分类	+1：￥30.717547 +10：￥27.772029 +25：￥26.229139 +100：￥22.301781 +500：￥18.374424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS4C03NWFT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 34.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥11.335166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFS4C03NWFT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31.4A（Ta），143A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3071 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.71W（Ta），77W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）