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NTD4808N-1G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Ta),63A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,11.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8 毫欧 30A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 13 nC 4.5 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1538 pF 12 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 1.4W(Ta),54.6W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I-PAK |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 温度: | -55°C # 175°C(TJ) |


