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NTHD4502NT1G_null
NTHD4502NT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

+1:

¥2.884799

+10:

¥2.349363

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¥2.11989

+100:

¥1.835781

+500:

¥1.704654

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140pF 15V

功率 - 最大值: 640mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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NTHD4502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140pF 15V

功率 - 最大值: 640mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

温度: -55°C # 150°C (TJ)

NTHD4502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

NTHD4502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

Mouser
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NTHD4502NT1G_未分类
NTHD4502NT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: ChipFET-8

系列: NTHD4502N

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 7 nC

Pd-功率耗散: 1.13 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 12.6 ns, 5.4 ns

正向跨导 - 最小值: 3.8 S

高度: 1.05 mm

长度: 3.05 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 12.6 ns, 5.4 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 9.6 ns, 14.9 ns

典型接通延迟时间: 7.8 ns, 6.5 ns

宽度: 1.65 mm

单位重量: 85 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

NTHD4502NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140pF 15V
功率 - 最大值: 640mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: ChipFET™
温度: -55°C # 150°C (TJ)