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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVD6828NLT4G-VF01_晶体管-FET,MOSFET-单个
NVD6828NLT4G-VF01
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

Digi-Key
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NVD6828NLT4G-VF01_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

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工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

Mouser
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NVD6828NLT4G-VF01_晶体管
NVD6828NLT4G-VF01
授权代理品牌

MOSFET N-CH 90V 38A DPAK

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 90 V

Id-连续漏极电流: 41 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 43 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 64 ns

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

单位重量: 360 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NVD6828NLT4G-VF01参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -