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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD4806NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 76A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2142 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W (Ta), 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVD4806NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 76A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A (Ta), 79A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2142 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W (Ta), 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)
NVD4806NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 76A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
NVD4806NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 76A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD4806NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 76A DPAK 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： TO-252-3 系列： NTD4806N 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 76 A Rds On-漏源导通电阻： 6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V Qg-栅极电荷： 37 nC Pd-功率耗散： 68 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 产品类型： MOSFET 单位重量： 330 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

NVD4806NT4G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.3A (Ta), 79A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6mOhm 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2142 pF 12 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.4W (Ta), 68W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度:	-55°C # 175°C (TJ)