品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 10V

功率 - 最大值： 1.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 10V

功率 - 最大值： 1.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 10V

功率 - 最大值： 1.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A，2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.9A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180pF 10V

功率 - 最大值： 1.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SMD, Flat Lead

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 1.1W

FET Type： N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.9A, 2.2A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 180pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 250µA

Supplier Device Package： ChipFET™

Part Status： Active

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： ChipFET-8

系列： NTHC5513

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.9 A

Rds On-漏源导通电阻： 80 mOhms, 155 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 600 mV, 1.2 V

Qg-栅极电荷： 4 nC, 6 nC

Pd-功率耗散： 1.1 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 3 ns, 27 ns

正向跨导 - 最小值： 6 S

高度： 1.05 mm

长度： 3.05 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 9 ns, 13 ns

晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 10 ns, 33 ns

典型接通延迟时间： 5 ns, 7 ns

宽度： 1.65 mm

单位重量： 85 mg

温度： - 55 C~+ 150 C