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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥1.781145

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¥1.660945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-1123

封装/外壳: SOT-1123

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-1123

封装/外壳: SOT-1123

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-1123

封装/外壳: SOT-1123

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥1.468609

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-1123

封装/外壳: SOT-1123

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.525341

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¥3.031855

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¥2.274171

+1000:

¥1.705488

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1123

供应商器件封装: SOT-1123

NTNUS3171PZT5G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.694737

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+2500:

¥0.43598

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1123

供应商器件封装: SOT-1123

Mouser
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NTNUS3171PZT5G_晶体管
NTNUS3171PZT5G
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MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-1123-3

系列: NTNUS3171PZ

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 150 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: -

Pd-功率耗散: 125 mW

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 0.26 S

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 P-Channel

单位重量: 0.450 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NTNUS3171PZT5G_未分类
NTNUS3171PZT5G
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-1123 T/R

未分类

+8000:

¥1.042289

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货期:7~10 天

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NTNUS3171PZT5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 欧姆 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-1123
封装/外壳: SOT-1123
温度: -55°C # 150°C(TJ)