品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），101A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5025 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），93.75W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），101A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5025 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），93.75W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），101A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5025 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），93.75W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），101A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5025 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），93.75W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），101A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5025 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），93.75W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 101A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.4mOhm @ 50A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 250µA

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 100 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5025 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-252-3

系列： NTD5802N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 101 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 75 nC

Pd-功率耗散： 93.75 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 8.5 ns

正向跨导 - 最小值： 16.8 S

高度： 2.38 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 52 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Power MOSFET

典型关闭延迟时间： 39 ns

典型接通延迟时间： 14 ns

宽度： 6.22 mm

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 175 C