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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDS9945_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

射频晶体管

+2500:

¥4.908536

+5000:

¥4.726745

+12500:

¥4.544954

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDS9945_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

射频晶体管

+2500:

¥12.007577

+5000:

¥11.562868

+12500:

¥11.118159

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NDS9945_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥26.200379

+10:

¥23.566404

+100:

¥18.945103

+500:

¥15.565256

+1000:

¥12.896998

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDS9945_未分类
NDS9945
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

未分类

+1:

¥26.696972

+10:

¥23.998874

+25:

¥22.720827

+100:

¥19.312704

+500:

¥15.904578

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

NDS9945参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)