搜索 NVD5890NT4G 共 5 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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NVD5890NT4G 授权代理品牌 | +10： ￥5.360172 +2500： ￥5.047453 +7500： ￥4.913491 +10000： ￥4.690151 | 暂无参数 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | 1+: |
Mouser
艾睿
NVD5890NT4G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Ta），123A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.7 毫欧 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 100 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4760 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 4W（Ta），107W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |