NVTFS5C670NLTAG厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.561801 +10：￥11.301521 +30：￥9.04112 +100：￥7.534307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.32158 +10：￥5.190453 +30：￥5.103035 +100：￥5.015617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥4.327069 +3000：￥4.073425 +7500：￥3.879443 +10500：￥3.700393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥10.585157 +3000：￥9.964675 +7500：￥9.490145 +10500：￥9.05214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.144406 +10：￥19.717932 +100：￥15.33015 +500：￥12.994334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)
NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.144406 +10：￥19.717932 +100：￥15.33015 +500：￥12.994334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN 下载数据手册未分类	+1：￥27.28046 +10：￥22.383966 +100：￥17.330087 +500：￥14.689479 +1500：￥11.943945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1500：￥6.722179 +3000：￥6.565851 +4500：￥6.513743 +6000：￥6.461632 +7500：￥6.253192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS5C670NLTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 70A, WDFN 下载数据手册未分类	+1：￥14.469359 +10：￥11.94135 +100：￥9.311713 +500：￥6.783704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVTFS5C670NLTAG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.8 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）