锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NTD3055L104G7 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD3055L104G_未分类
NTD3055L104G
授权代理品牌

NTD3055L104G VBSEMI/微碧半导体

未分类

+10:

¥1.811915

+20:

¥1.750214

+200:

¥1.688512

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
NTD3055L104G_未分类
NTD3055L104G
授权代理品牌

NTD3055L104G BYCHIP/百域芯

未分类

+10:

¥1.775334

+500:

¥1.638849

+2000:

¥1.50225

+6000:

¥1.365767

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
NTD3055L104G_未分类
NTD3055L104G
授权代理品牌

NTD3055L104G JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

+50:

¥0.968238

+2500:

¥0.951452

+7500:

¥0.9261

+12500:

¥0.90098

+17500:

¥0.867177

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD3055L104G_晶体管-FET,MOSFET-单个
+75:

¥1.787623

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 104 毫欧 6A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 5 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),48W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD3055L104G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NTD3055L104G_晶体管-FET,MOSFET-单个
+75:

¥3.089006

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 104 毫欧 6A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 5 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),48W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD3055L104G_未分类
NTD3055L104G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 75

NTD3055L104G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 104 毫欧 6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 5 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),48W(Tj)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)