品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V

功率 - 最大值： 125mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V

功率 - 最大值： 125mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V

功率 - 最大值： 125mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-963-6

系列： NTUD3174NZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 220 mA

Rds On-漏源导通电阻： 4.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 520 mV

Qg-栅极电荷： -

Pd-功率耗散： 125 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

单位重量： 270 mg

温度： - 55 C~+ 150 C