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自营 现货库存
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NTUD3174NZT5G_null
NTUD3174NZT5G
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

+1:

¥6.864023

+10:

¥5.898604

+30:

¥5.378763

+100:

¥4.88014

+500:

¥4.572479

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.5pF 15V

功率 - 最大值: 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NTUD3174NZT5G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

射频晶体管

+8000:

¥1.840538

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.5pF 15V

功率 - 最大值: 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTUD3174NZT5G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

射频晶体管

+8000:

¥4.502443

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.5pF 15V

功率 - 最大值: 125mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTUD3174NZT5G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

射频晶体管

+1:

¥10.625656

+10:

¥9.336409

+100:

¥7.160274

+500:

¥5.660214

+1000:

¥4.528228

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

NTUD3174NZT5G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

射频晶体管

+1:

¥11.096258

+10:

¥8.107534

+30:

¥7.562628

+100:

¥7.001211

+500:

¥6.770038

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

Mouser
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NTUD3174NZT5G_晶体管
NTUD3174NZT5G
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

晶体管

+:

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-963-6

系列: NTUD3174NZ

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 220 mA

Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 520 mV

Qg-栅极电荷: -

Pd-功率耗散: 125 mW

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

产品类型: MOSFET

单位重量: 270 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

NTUD3174NZT5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.5pF 15V
功率 - 最大值: 125mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-963
供应商器件封装: SOT-963
温度: -55°C # 150°C(TJ)