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NTB75N03L09G
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NTB75N03L09G VBSEMI/台湾微碧半导体

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NTB75N03L09G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 37.5A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 75 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5635 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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NTB75N03L09G_未分类
NTB75N03L09G
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MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

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封裝: Tube

標準包裝數量: 50

NTB75N03L09G参数规格

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