品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 59 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155 pF 35 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 59 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155 pF 35 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 59 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155 pF 35 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-223-3

系列： NCV8440A

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 52 V

Id-连续漏极电流： 2.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 15 V, + 15 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.1 V

Qg-栅极电荷： 4.5 nC

Pd-功率耗散： 1.69 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q100

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 1160 ns

产品： MOSFET Gate Drivers

产品类型： MOSFET

上升时间： 1525 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Low Side

典型关闭延迟时间： 1530 ns

典型接通延迟时间： 375 ns

单位重量： 250 mg

温度： - 55 C~+ 150 C