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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+10：￥58.727229 +200：￥39.714862 +500：￥29.152409 +1500：￥21.124906 +3000：￥20.068697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），52A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 997pF 25V 功率 - 最大值： 3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.866706 +10：￥12.052779 +30：￥10.92727 +100：￥9.768979 +500：￥9.24447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），52A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 997pF 25V 功率 - 最大值： 3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册未分类	+1500：￥116.20946 +3000：￥116.20946 +4500：￥116.20946 +6000：￥116.20946	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），52A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 997pF 25V 功率 - 最大值： 3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥7.621476 +3000：￥7.095866 +7500：￥6.83309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），52A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 997pF 25V 功率 - 最大值： 3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥18.644149 +3000：￥17.358369 +7500：￥16.715546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），52A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 997pF 25V 功率 - 最大值： 3W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥37.868953 +10：￥34.068484 +100：￥27.387804 +500：￥22.501487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥37.868953 +10：￥34.068484 +100：￥27.387804 +500：￥22.501487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL 下载数据手册未分类	+1：￥44.072252 +10：￥39.211342 +100：￥31.595917 +500：￥26.248915 +1000：￥21.550035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C466NLWFT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥14.423375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFD5C466NLWFT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.4 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	997pF 25V
功率 - 最大值:	3W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）