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搜索 NTUD3170NZT5G 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.562919 +10：￥4.37536 +30：￥3.646093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.490361 +10：￥3.405489 +30：￥3.352444 +100：￥1.527696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.370632 +59：￥2.237895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册未分类	+25：￥5.6343 +100：￥4.210391 +500：￥3.302083 +1000：￥2.553205 +2500：￥2.332329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.259072 +16000：￥1.172257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥3.080023 +16000：￥2.867651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.350577 +10：￥7.962158 +100：￥5.947533 +500：￥4.673021 +1000：￥3.611023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.102297 +10：￥3.797826 +30：￥3.550141 +100：￥3.31897 +500：￥3.203384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOT-963-6 系列： NTUD3170NZ 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 220 mA Rds On-漏源导通电阻： 1.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压： 400 mV Qg-栅极电荷： - Pd-功率耗散： 125 mW 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Dual 下降时间： 80 ns 正向跨导 - 最小值： 0.48 S 高度： 0.37 mm 长度： 1 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 25.5 nd 晶体管类型： 2 N-Channel 类型： Small Signal MOSFET 典型关闭延迟时间： 142 ns 典型接通延迟时间： 16.5 ns 宽度： 0.8 mm 单位重量： 1.190 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3170NZT5G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.22A 6-Pin SOT-963 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.660483 +10：￥8.86133 +25：￥8.4819 +100：￥6.965435 +250：￥6.574698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTUD3170NZT5G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12.5pF 15V
功率 - 最大值:	125mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-963
供应商器件封装:	SOT-963
温度:	-55°C # 150°C（TJ）