品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），49A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 793pF 25V

功率 - 最大值： 3.1W（Ta），45W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），49A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 793pF 25V

功率 - 最大值： 3.1W（Ta），45W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），49A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 793pF 25V

功率 - 最大值： 3.1W（Ta），45W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），49A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.9 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 793pF 25V

功率 - 最大值： 3.1W（Ta），45W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-Dual-8

系列： NVMFD5C672NL

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 49 A

Rds On-漏源导通电阻： 9.8 mOhms, 9.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V

Qg-栅极电荷： 12.3 nC

Pd-功率耗散： 45 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 28 ns, 28 ns

正向跨导 - 最小值： 27.5 S, 27.5 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 30 ns, 30 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 22 ns, 22 ns

典型接通延迟时间： 11 ns, 11 ns

单位重量： 161.193 mg

温度： - 55 C~+ 175 C