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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDC7001C_射频晶体管
NDC7001C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+1:

¥2.578836

+10:

¥2.065254

+30:

¥1.835781

+100:

¥1.5626

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NDC7001C_未分类
NDC7001C
授权代理品牌
+5:

¥0.878662

+50:

¥0.763925

+150:

¥0.714753

+500:

¥0.653451

+3000:

¥0.626133

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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NDC7001C_未分类
NDC7001C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

未分类

+3000:

¥4.156936

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NDC7001C_射频晶体管
NDC7001C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+1:

¥2.668557

+50:

¥2.601878

+100:

¥2.535083

+400:

¥2.49063

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDC7001C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥0.90231

+6000:

¥0.856403

+9000:

¥0.795253

+30000:

¥0.776914

+75000:

¥0.757114

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDC7001C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥2.207289

+6000:

¥2.094989

+9000:

¥1.945399

+30000:

¥1.900537

+75000:

¥1.852101

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NDC7001C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+1:

¥6.572291

+10:

¥5.600735

+100:

¥3.890511

+500:

¥3.037829

+1000:

¥2.469181

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

NDC7001C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

射频晶体管

+1:

¥6.572291

+10:

¥5.600735

+100:

¥3.890511

+500:

¥3.037829

+1000:

¥2.469181

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDC7001C_未分类
NDC7001C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

未分类

+1:

¥8.114853

+10:

¥6.889345

+100:

¥5.150447

+500:

¥4.057428

+1000:

¥3.130016

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

NDC7001C参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 510mA,340mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 510mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)