NIF9N05CLT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NIF9N05CLT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NIF9N05CLT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥0.739585 +7500：￥0.726726 +12500：￥0.707439 +35000：￥0.675293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NIF9N05CLT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NIF9N05CLT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.28629 +2500：￥1.211246 +7500：￥1.1791 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 59 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 35 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NIF9N05CLT1G 授权代理品牌	NIF9N05CLT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.223841 +50：￥1.19328 +100：￥1.162603 +200：￥1.132042 +300：￥1.10148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NIF9N05CLT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NIF9N05CLT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.812305 +2500：￥0.798183 +7500：￥0.776998 +12500：￥0.755813 +35000：￥0.727567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 59 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 35 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 59 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 35 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NIF9N05CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1000

NIF9N05CLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	59 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 35 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.69W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223（TO-261）
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）