锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 NVMFS5C682NLT3G 共 3 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS5C682NLT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVMFS5C682NLT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS5C682NLT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVMFS5C682NLT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS5C682NLT3G_晶体管
NVMFS5C682NLT3G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 5DFN

下载数据手册

晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 25 A

Rds On-漏源导通电阻： 21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 5 nC

Pd-功率耗散： 28 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 1.5 ns

正向跨导 - 最小值： 17 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 12 ns

晶体管类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 12 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

单位重量： 187 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

NVMFS5C682NLT3G参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)