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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+10：￥20.327879 +200：￥15.203287 +500：￥11.786731 +1500：￥8.541148 +7500：￥7.687009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册未分类	+1：￥9.515952 +10：￥8.326458 +30：￥7.672772 +100：￥7.061951 +500：￥6.665452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥12.63192 +3000：￥11.760617	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.643247 +10：￥23.078921 +100：￥18.555229 +500：￥15.245406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Cut Tape,Reel 封装/外壳： SO-8FL-Dual-8 系列： NVMFD5C680NL 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 26 A Rds On-漏源导通电阻： 23 mOhms, 23 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： 5 nC Pd-功率耗散： 19 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Dual 下降时间： 23 ns, 23 ns 正向跨导 - 最小值： 50 S, 50 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 25 ns, 25 ns 晶体管类型： 2 N-Channel 典型关闭延迟时间： 13 ns, 13 ns 典型接通延迟时间： 6.4 ns, 6.4 ns 单位重量： 161.193 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD5C680NLT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥9.577636	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFD5C680NLT1G参数规格

属性	参数值
系列:	Automotive, AEC-Q101
安装类型:	Surface Mount
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)