NVMFS5C670NLWFAFT1G厂家价格_数据手册

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	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.020307 +10：￥8.643471 +30：￥7.780216 +100：￥6.895107 +500：￥6.490798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1500：￥81.464996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.717886 +100：￥7.521669 +500：￥7.325451	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥5.886577 +3000：￥5.592251 +7500：￥5.382009 +10500：￥5.203845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥14.400126 +3000：￥13.680127 +7500：￥13.165821 +10500：￥12.729984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 53µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.335279 +10：￥25.196854 +100：￥20.056883 +500：￥16.971661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.335279 +10：￥25.196854 +100：￥20.056883 +500：￥16.971661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

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	NVMFS5C670NLWFAFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥34.100574 +10：￥28.329707 +100：￥22.558842 +250：￥20.810094 +500：￥18.886472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 1500

NVMFS5C670NLWFAFT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.1 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	61W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）