 | NDC7002N | MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 510mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 510mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20pF 25V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![NDC7002N_未分类]() | NDC7002N | NDC7002N TECH PUBLIC/台湾台舟电子 未分类 | | | 暂无参数 |
![NDC7002N_未分类]() | NDC7002N | 50V 510MA 2R@10V,510MA 700MW 2.5 未分类 | | | Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： - Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 510mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-6 Part Status： Active |
![NDC7002N_未分类]() | NDC7002N | 50V 510MA 2R@10V,510MA 700MW 2.5 未分类 | | | Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： - Power - Max： 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss)： 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 510mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-6 Part Status： Active |
| NDC7002N | MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 510mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 510mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20pF 25V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NDC7002N | MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 射频晶体管 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）： 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 510mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 510mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20pF 25V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![NDC7002N_未分类]() | NDC7002N | NDC7002N UDU SEMICONDUTOR 未分类 | | | 暂无参数 |
