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NVTFWS002N04CTAG_未分类
NVTFWS002N04CTAG
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 80V 8WDFN

未分类
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￥8.337174

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￥3.236281

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￥3.118403

+1000：

￥3.064823

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

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NVTFWS002N04CTAG_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVTFWS002N04CTAG
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￥5.704845

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser
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NVTFWS002N04CTAG_晶体管
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MOSFET N-CH 80V 8WDFN

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晶体管
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需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： WDFN-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 136 A

Rds On-漏源导通电阻： 2.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3.5 V

Qg-栅极电荷： 34 nC

Pd-功率耗散： 85 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 7 ns

正向跨导 - 最小值： 92 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 77 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 23 ns

典型接通延迟时间： 11 ns

温度： - 55 C~+ 175 C

NVTFWS002N04CTAG参数规格

属性 参数值
系列: Automotive, AEC-Q101
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-WDFN (3.3x3.3)