NTUD3169CZT5G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NTUD3169CZT5G 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+5：￥1.936 +50：￥1.6456 +150：￥1.3552 +500：￥1.21 +2500：￥1.1132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.976461 +50：￥0.839652 +150：￥0.780972 +500：￥0.707869 +2500：￥0.675196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.046287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册未分类	+8000：￥2.360938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.498777 +10：￥1.332195 +30：￥1.124054 +100：￥0.982592 +300：￥0.899359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.038737 +8000：￥1.021257 +16000：￥0.995094 +32000：￥0.986297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.126716 +500：￥1.106574 +1000：￥1.086431 +3000：￥1.066289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥4.889808 +16000：￥4.767563 +24000：￥4.645318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.875353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTUD3169CZT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT963 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.869363 +16000：￥0.813247	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.5pF 15V 功率 - 最大值： 125mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTUD3169CZT5G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	220mA，200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12.5pF 15V
功率 - 最大值:	125mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-963
供应商器件封装:	SOT-963
温度:	-55°C # 150°C（TJ）