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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 65A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥195.401442 +200：￥75.627636 +500：￥72.961382 +1000：￥71.650109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 32.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 159 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5945 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 65A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 32.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 159 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5945 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 65A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥96.377445 +10：￥88.55406 +100：￥74.789896 +500：￥66.530732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 32.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 159 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5945 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 65A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥235.764767 +10：￥216.626696 +100：￥182.955903 +500：￥162.7518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 32.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 2.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 159 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5945 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 65A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥270.308826 +10：￥238.133094 +30：￥231.763278 +60：￥218.69699 +120：￥205.794031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHLD040N65S3HF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥117.623382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTHLD040N65S3HF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 32.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 2.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	159 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5945 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	446W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）