NVBG020N090SC1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥572.233079 +30：￥317.907293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥546.841459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.8A（Ta），112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），477W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥735.97901 +10：￥686.635121 +100：￥596.180611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥735.97901 +10：￥686.635121 +100：￥596.180611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBG020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥887.805112 +10：￥811.858155 +100：￥719.272058 +500：￥659.634751 +800：￥659.634751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： D2PAK-7 系列：产品种类： MOSFET 技术： SiC 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 900 V Id-连续漏极电流： 112 A Rds On-漏源导通电阻： 28 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 10 V, + 19 V Vgs th-栅源极阈值电压： 4.3 V Qg-栅极电荷： 200 nC Pd-功率耗散： 477 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 13 ns 正向跨导 - 最小值： 49 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 52 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 58 ns 典型接通延迟时间： 39 ns 单位重量： 4.675 g 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBG020N090SC1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥516.519151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVBG020N090SC1参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.8A（Ta），112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 60A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 15 V
Vgs（最大值）:	+19V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4415 pF 450 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.7W（Ta），477W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK-7
封装/外壳:	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）