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搜索 NTJD4152PT1G 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTJD4152PT1G TK SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.805683 +100：￥1.221132 +800：￥0.896368 +3000：￥0.649528 +6000：￥0.6171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 880mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155pF 20V 功率 - 最大值： 272mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.768406 +50：￥0.615424 +150：￥0.538933 +500：￥0.481565 +3000：￥0.428458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 880mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155pF 20V 功率 - 最大值： 272mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4152PT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTJD4152PT1G 下载数据手册未分类	+5：￥0.617063 +50：￥0.54243 +150：￥0.505058 +500：￥0.477085 +3000：￥0.406713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 880mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155pF 20V 功率 - 最大值： 272mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.776388 +6000：￥0.744148 +9000：￥0.669739 +30000：￥0.65981 +75000：￥0.620153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 880mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155pF 20V 功率 - 最大值： 272mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.204076 +6000：￥2.01223 +9000：￥1.914473 +15000：￥1.804628 +21000：￥1.73961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 880mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 880mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 155pF 20V 功率 - 最大值： 272mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.63814 +10：￥5.951169 +100：￥3.810891 +500：￥2.883793 +1000：￥2.584704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.63814 +10：￥5.951169 +100：￥3.810891 +500：￥2.883793 +1000：￥2.584704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 下载数据手册未分类	+1：￥7.79396 +10：￥5.223612 +100：￥2.586932 +1000：￥2.321605 +3000：￥2.006531	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4152PT1G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.053209 +10：￥4.728452 +25：￥4.685115 +100：￥1.74589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTJD4152PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	880mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	260 毫欧 880mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	155pF 20V
功率 - 最大值:	272mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88/SC70-6/SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）