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自营 国内现货
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NTLUD4C26NTAG_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

射频晶体管

+3000:

¥1.536774

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: µCool™

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Standard

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.1A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21mOhm 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 15V

功率 - 最大值: 2.63W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-UDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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NTLUD4C26NTAG_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

射频晶体管

+3000:

¥3.759356

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: µCool™

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Standard

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.1A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21mOhm 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 15V

功率 - 最大值: 2.63W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-UDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

NTLUD4C26NTAG_射频晶体管
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MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

射频晶体管

+1:

¥9.775603

库存: 0

货期:7~10 天

系列: µCool™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-UDFN (2x2)

NTLUD4C26NTAG_射频晶体管
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MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: µCool™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-UDFN (2x2)

Mouser
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NTLUD4C26NTAG_晶体管
NTLUD4C26NTAG
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MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: UDFN-6

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 7.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV

Qg-栅极电荷: 8 nC

Pd-功率耗散: 1.7 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 1.7 ns, 1.7 ns

正向跨导 - 最小值: 23 S, 23 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns, 15 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 13 ns, 13 ns

典型接通延迟时间: 5 ns, 5 ns

单位重量: 8.500 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NTLUD4C26NTAG_未分类
NTLUD4C26NTAG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥3.135434

库存: 0

货期:7~10 天

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NTLUD4C26NTAG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: µCool™
零件状态: Obsolete
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Standard
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.1A (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21mOhm 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 15V
功率 - 最大值: 2.63W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-UDFN (2x2)
温度: -55°C # 150°C (TJ)