NTMFS4C08NAT1G厂家价格_数据手册

搜索 NTMFS4C08NAT1G 共 10 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥9.320961 +200：￥3.605999 +500：￥3.485799 +1500：￥3.420236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.51W（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+2561：￥3.768527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.51W（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥3.496819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.51W（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥8.554145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.51W（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+577：￥7.246913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1500：￥7.783736 +3000：￥7.327533 +7500：￥6.978629 +10500：￥6.656445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥17.716609 +10：￥14.487614 +100：￥11.272908 +500：￥9.555254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥17.716609 +10：￥14.487614 +100：￥11.272908 +500：￥9.555254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C08NAT1G 授权代理品牌	NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm 下载数据手册未分类	+1500：￥11.218391 +3000：￥11.10565 +6000：￥10.9943 +9000：￥10.884344 +12000：￥10.775779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMFS4C08NAT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16.4A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.8 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1670 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥8.554145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Ta），52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1670 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.51W（Ta），25.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+577：￥7.246913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1500：￥7.783736 +3000：￥7.327533 +7500：￥6.978629 +10500：￥6.656445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥17.716609 +10：￥14.487614 +100：￥11.272908 +500：￥9.555254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V
NTMFS4C08NAT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥17.716609 +10：￥14.487614 +100：￥11.272908 +500：￥9.555254	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1670 pF @ 15 V