NVMYS5D3N04CTWG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册	+1：￥7.447518 +200：￥2.885648 +500：￥2.790167 +1000：￥2.737122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.451519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.997065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK4（5x6）封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.171843 +10：￥15.313934 +100：￥10.234787 +500：￥8.05106 +1000：￥7.347476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1023, 4-LFPAK 供应商器件封装： 4-LFPAK
NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.171843 +10：￥15.313934 +100：￥10.234787 +500：￥8.05106 +1000：￥7.347476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1023, 4-LFPAK 供应商器件封装： 4-LFPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG ON(安森美) 授权代理品牌	FET NCH 40V 68A 下载数据手册未分类	+1：￥17.412038 +10：￥14.161792 +100：￥11.027625 +500：￥8.722602 +1000：￥7.611549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥7.610408 +6000：￥7.53302 +9000：￥7.458726 +12000：￥7.384435 +15000：￥7.310141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG onsemi(安森美) 授权代理品牌	SINGLE MOSFET TRANSISTORS 下载数据手册未分类	+5：￥9.27961 +10：￥7.546349 +100：￥5.879754 +500：￥4.199826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG onsemi(安森美) 授权代理品牌	SINGLE MOSFET TRANSISTORS 下载数据手册未分类	+5：￥9.708442 +10：￥7.88655 +100：￥6.13953 +500：￥4.242764 +3000：￥4.230286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMYS5D3N04CTWG onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 71 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚, NVMYS5D3N04CTWG 下载数据手册未分类	+3000：￥4.454708 +15000：￥4.276871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMYS5D3N04CTWG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.3 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LFPAK4（5x6）
封装/外壳:	SOT-1023，4-LFPAK
温度:	-55°C # 175°C（TJ）