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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V DFN5

未分类
+1：

￥6.64378

+10：

￥5.627544

+30：

￥5.070253

+100：

￥4.447399

+500：

￥4.174217

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Digi-Key
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NVMFS5H663NLWFT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥9.996618

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

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未分类
+1500：

￥8.783968

+3000：

￥8.198362

+7500：

￥7.788409

+10500：

￥7.495604

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.2A (Ta), 67A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.2mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 56µA

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1131 pF @ 30 V

NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
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MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

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未分类
+715：

￥9.591129

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.2A (Ta), 67A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.2mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 56µA

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1131 pF @ 30 V

NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

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未分类
+1：

￥19.319275

+10：

￥17.277736

+100：

￥13.468685

+500：

￥11.126259

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.2A (Ta), 67A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.2mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 56µA

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1131 pF @ 30 V

NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

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未分类
+1：

￥19.319275

+10：

￥17.277736

+100：

￥13.468685

+500：

￥11.126259

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.2A (Ta), 67A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.2mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 56µA

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1131 pF @ 30 V

Mouser
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NVMFS5H663NLWFT1G_晶体管
NVMFS5H663NLWFT1G
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 60V DFN5

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晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： DFN-5

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 67 A

Rds On-漏源导通电阻： 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V

Qg-栅极电荷： 17 nC

Pd-功率耗散： 63 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 9.5 ns

正向跨导 - 最小值： 64 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 52.7 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 26.2 ns

典型接通延迟时间： 13.4 ns

单位重量： 175 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿
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NVMFS5H663NLWFT1G_未分类
NVMFS5H663NLWFT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 16.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R

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未分类
+1500：

￥9.710421

库存： 0

货期：7~10 天

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NVMFS5H663NLWFT1G参数规格

属性 参数值
系列: Automotive, AEC-Q101
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads
供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)