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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册未分类	+1：￥59.751055 +10：￥52.787626 +30：￥48.54445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3410 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥31.46515 +1600：￥28.318658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3410 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥76.972094 +1600：￥69.274942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3410 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.158877 +10：￥104.685157 +100：￥87.235727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK-3 (TO-263-3)
NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.158877 +10：￥104.685157 +100：￥87.235727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK-3 (TO-263-3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVB082N65S3F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 下载数据手册未分类	+1：￥142.585864 +10：￥123.803076 +25：￥122.16979 +100：￥103.713659 +250：￥102.570358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVB082N65S3F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥60.482692 +2400：￥57.932217	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	NVB082N65S3F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥69.700571 +10：￥66.40094 +25：￥65.498575 +100：￥62.114706 +500：￥59.224852	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVB082N65S3F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	82 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	81 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3410 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	313W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）