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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMYS010N04CLTWG_未分类
NVMYS010N04CLTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK

未分类

+1:

¥6.239471

+200:

¥2.414927

+500:

¥2.327509

+1000:

¥2.294727

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMYS010N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥11.278552

+6000:

¥10.860748

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMYS010N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥24.662424

+10:

¥22.143144

+100:

¥17.795397

+500:

¥14.620311

+1000:

¥12.114024

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

NVMYS010N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥24.662424

+10:

¥22.143144

+100:

¥17.795397

+500:

¥14.620311

+1000:

¥12.114024

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMYS010N04CLTWG_未分类
NVMYS010N04CLTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK

未分类

+1:

¥15.153716

+10:

¥12.465155

+100:

¥8.994464

+500:

¥7.674625

+1000:

¥6.534022

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

標準包裝數量: 3000

艾睿
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NVMYS010N04CLTWG_未分类
NVMYS010N04CLTWG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

未分类

+3000:

¥8.636436

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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NVMYS010N04CLTWG_未分类
NVMYS010N04CLTWG
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 38 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚

未分类

+750:

¥6.126893

+1500:

¥5.943216

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NVMYS010N04CLTWG_未分类
NVMYS010N04CLTWG
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 38 A, LFPAK,SOT-669封装, 表面贴装, 4引脚

未分类

+3000:

¥3.394421

+15000:

¥7.980344

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMYS010N04CLTWG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10.3 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK4(5x6)
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
温度: -55°C # 175°C(TJ)