NTHL190N65S3HF厂家价格_数据手册

搜索 NTHL190N65S3HF 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥86.42304 +10：￥57.61536 +30：￥48.0128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥30.224829 +10：￥26.717175 +30：￥24.630067 +90：￥22.532031 +450：￥19.625377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥70.767689 +10：￥63.637726 +30：￥60.125939 +120：￥52.038114 +510：￥41.81026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+23：￥36.642893 +30：￥35.534837 +120：￥30.04843 +510：￥28.126081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.053272 +10：￥36.996538 +30：￥35.877806 +120：￥30.338511 +510：￥28.397635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.809655 +10：￥63.670243 +30：￥60.162629 +120：￥52.065479 +510：￥44.291789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.364306 +10：￥32.637248 +100：￥26.738527 +500：￥22.76213 +1000：￥19.196955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.956726 +10：￥79.839355 +100：￥65.409521 +500：￥55.6822 +1000：￥46.960838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥99.630444 +10：￥87.870784 +25：￥79.051041 +100：￥68.76134 +250：￥68.598011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL190N65S3HF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥37.945778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTHL190N65S3HF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1610 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	162W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥70.767689 +10：￥63.637726 +30：￥60.125939 +120：￥52.038114 +510：￥41.81026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+23：￥36.642893 +30：￥35.534837 +120：￥30.04843 +510：￥28.126081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.053272 +10：￥36.996538 +30：￥35.877806 +120：￥30.338511 +510：￥28.397635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHL190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.809655 +10：￥63.670243 +30：￥60.162629 +120：￥52.065479 +510：￥44.291789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）