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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTD4813NHT4G_null
NTD4813NHT4G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
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￥1.586749

+200：

￥0.614113

+500：

￥0.592477

+1000：

￥0.581877

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

自营 国内现货
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NTD4813NHT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4813NHT4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥1.600192

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

Digi-Key
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NTD4813NHT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4813NHT4G
ON(安森美)
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库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

Mouser
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NTD4813NHT4G_晶体管
NTD4813NHT4G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-252-3

系列： NTD4813NH

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 9 A

Rds On-漏源导通电阻： 13 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 10 nC

Pd-功率耗散： 1.94 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 19.5 ns, 16.1 ns

高度： 2.38 mm

长度： 6.73 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 19.5 ns, 16.1 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 10.3 ns, 17.2 ns

典型接通延迟时间： 10 ns, 5.1 ns

宽度： 6.22 mm

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NTD4813NHT4G参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: DPAK