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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.128482 +10：￥6.085574 +30：￥5.071352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta），21.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册	+1：￥14.074324 +10：￥12.227615 +30：￥11.080252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta），21.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.705406 +3000：￥1.51889 +7500：￥1.438919 +10500：￥1.332311 +37500：￥1.319151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta），21.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥4.171876 +3000：￥3.715608 +7500：￥3.519976 +10500：￥3.259185 +37500：￥3.226994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta），21.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.750625 +10：￥8.481497 +100：￥5.867401 +500：￥4.901933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)
NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.750625 +10：￥8.481497 +100：￥5.867401 +500：￥4.901933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 38A U8FL 下载数据手册晶体管	+1：￥11.017109 +10：￥9.583137 +100：￥6.64524 +500：￥5.54353 +1500：￥4.704132	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： WDFN-8 系列： NTTFS4C13N 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 38 A Rds On-漏源导通电阻： 9.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V Qg-栅极电荷： 15.2 nC Pd-功率耗散： 21.5 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Single 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 1 N-Channel 单位重量： 17 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.898421 +6000：￥2.869864 +9000：￥2.754213 +12000：￥2.727086 +15000：￥2.699957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 38A, WDFN 下载数据手册未分类	+5：￥6.428393 +10：￥5.583282 +100：￥3.879203 +500：￥3.241905 +1500：￥2.341376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS4C13NTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 38A, WDFN 下载数据手册未分类	+5：￥6.580447 +10：￥5.729308 +100：￥3.976217 +500：￥3.315631 +1500：￥2.375568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTTFS4C13NTAG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.4 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	770 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	780mW（Ta），21.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）