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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS6H848NT1G_null
NVMFS6H848NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 6DFN
+1：

￥5.474244

+200：

￥2.1218

+500：

￥2.047537

+1000：

￥2.005101

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS6H848NT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVMFS6H848NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥15.042694

+200：

￥5.828838

+500：

￥5.614178

+1000：

￥5.515104

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Automotive, AEC-Q101

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVMFS6H848NT1G_晶体管
NVMFS6H848NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 6DFN

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晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 80 V

Id-连续漏极电流： 64 A

Rds On-漏源导通电阻： 9.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 16 nC

Pd-功率耗散： 73 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 23 ns

正向跨导 - 最小值： 52 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 33 ns

典型关闭延迟时间： 34 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

单位重量： 175 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

NVMFS6H848NT1G参数规格

属性 参数值
系列: Automotive, AEC-Q101
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads
供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)