搜索 NVMFD6H852NLWFT1G 共 10 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | NVMFD6H852NLWFT1G 授权代理品牌 | +1: ¥6.610998 +10: ¥5.60569 +30: ¥5.059326 +100: ¥4.436472 +500: ¥4.152363 |
Digi-Key
Mouser
艾睿
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NVMFD6H852NLWFT1G 授权代理品牌 | +1500: ¥7.463371 | 暂无参数 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
NVMFD6H852NLWFT1G 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, 双路 N沟道, 80V, 25A, DFN | +1: ¥11.711352 +10: ¥9.268737 +100: ¥7.380661 +500: ¥5.783059 +1500: ¥5.202112 | 暂无参数 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NVMFD6H852NLWFT1G 授权代理品牌 | onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 25 A, DFN, 贴片安装, 8引脚, NVMFD6H852NLWFT1G | +390: ¥9.346254 +750: ¥9.065816 | 暂无参数 | ||
NVMFD6H852NLWFT1G 授权代理品牌 | onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 25 A, DFN, 贴片安装, 8引脚, NVMFD6H852NLWFT1G | +1500: ¥5.885349 +7500: ¥5.650142 | 暂无参数 |
NVMFD6H852NLWFT1G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Ta),25A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 25.5 毫欧 10A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 26µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC 10 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 521 pF 40 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 3.2W(Ta),38W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 175°C(TJ) |



