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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD6H852NLWFT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌
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¥6.610998

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¥5.60569

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¥5.059326

+100:

¥4.436472

+500:

¥4.152363

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 26µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 521 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),38W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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NVMFD6H852NLWFT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥3.226813

+3000:

¥3.141009

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 26µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 521 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),38W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD6H852NLWFT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥7.893638

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 26µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 521 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),38W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD6H852NLWFT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥23.10094

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¥15.619906

+100:

¥10.985951

+500:

¥8.91727

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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¥15.619906

+100:

¥10.985951

+500:

¥8.91727

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD6H852NLWFT1G_晶体管
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌
+1:

¥17.246209

+10:

¥16.201489

+100:

¥11.923101

+500:

¥9.667827

+1000:

¥9.485416

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SO-8FL-Dual-8

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 25.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

Pd-功率耗散: 38 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 16 ns

正向跨导 - 最小值: 138 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 23 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

单位重量: 161.193 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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NVMFD6H852NLWFT1G_未分类
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+1500:

¥7.463371

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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NVMFD6H852NLWFT1G_未分类
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, 双路 N沟道, 80V, 25A, DFN

未分类

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¥11.711352

+10:

¥9.268737

+100:

¥7.380661

+500:

¥5.783059

+1500:

¥5.202112

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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NVMFD6H852NLWFT1G_未分类
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 25 A, DFN, 贴片安装, 8引脚, NVMFD6H852NLWFT1G

未分类

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¥9.346254

+750:

¥9.065816

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NVMFD6H852NLWFT1G_未分类
NVMFD6H852NLWFT1G
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 25 A, DFN, 贴片安装, 8引脚, NVMFD6H852NLWFT1G

未分类

+1500:

¥5.885349

+7500:

¥5.650142

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMFD6H852NLWFT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta),25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25.5 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 521 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),38W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)