品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 162W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 162W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 162W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 430µA

Supplier Device Package： D²PAK-3 (TO-263-3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 34 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1610 pF @ 400 V

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 162W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 430µA

Supplier Device Package： D²PAK-3 (TO-263-3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 34 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1610 pF @ 400 V

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 162W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 162W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 162W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 430µA

Supplier Device Package： D²PAK-3 (TO-263-3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 34 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1610 pF @ 400 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 162W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 430µA

Supplier Device Package： D²PAK-3 (TO-263-3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 34 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1610 pF @ 400 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 162W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 430µA

Supplier Device Package： D²PAK-3 (TO-263-3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 34 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1610 pF @ 400 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-70-3

系列： SuperFET3

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 20 A

Rds On-漏源导通电阻： 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 34 nC

Pd-功率耗散： 162 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET III

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 14 ns

正向跨导 - 最小值： 11 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 19 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 58 ns

典型接通延迟时间： 19 ns

单位重量： 1.485 g

温度： - 55 C~+ 150 C