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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.2416 +10：￥39.4944 +30：￥32.912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥23.952576 +10：￥23.395285 +50：￥23.023758 +100：￥22.663158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.959018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.775811 +10：￥22.258814 +100：￥18.238376 +500：￥15.525988 +1000：￥13.094186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.298978 +50：￥29.966967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 430µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 162W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	NTP190N65S3HF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥48.919535 +10：￥41.125575 +25：￥32.502471 +100：￥32.336642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： SuperFET3 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 650 V Id-连续漏极电流： 20 A Rds On-漏源导通电阻： 190 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 34 nC Pd-功率耗散： 162 W 通道模式： Enhancement 商标名： SuperFET III 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 14 ns 正向跨导 - 最小值： 11 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 19 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 58 ns 典型接通延迟时间： 19 ns 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

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	NTP190N65S3HF ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥45.535529 +1000：￥45.086674 +2000：￥44.63782 +2500：￥44.188965 +3000：￥43.74011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTP190N65S3HF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 430µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1610 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	162W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）