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自营 现货库存
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NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 8WDFN

未分类
+1：

￥2.527945

+200：

￥0.978347

+500：

￥0.943896

+1500：

￥0.926987

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），31W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营 国内现货
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NVTFS6H880NWFTAG_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥2.65275

+200：

￥1.026

+500：

￥0.99225

+1000：

￥0.972

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），31W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS6H880NWFTAG_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥6.48933

+200：

￥2.509868

+500：

￥2.427306

+1000：

￥2.377769

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），31W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

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未分类
+1500：

￥4.794428

+3000：

￥4.345022

+7500：

￥4.045328

+10500：

￥3.89548

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.3A (Ta), 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta), 31W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 40 V

NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

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未分类
+1：

￥11.265673

+10：

￥9.89479

+100：

￥7.580577

+500：

￥5.993068

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.3A (Ta), 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta), 31W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 40 V

NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

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未分类
+1：

￥11.265673

+10：

￥9.89479

+100：

￥7.580577

+500：

￥5.993068

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.3A (Ta), 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta), 31W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 40 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 8WDFN

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未分类
+1：

￥11.64181

+10：

￥10.225157

+100：

￥7.840689

+500：

￥6.199615

+1000：

￥4.965303

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 1500

艾睿
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NVTFS6H880NWFTAG_未分类
NVTFS6H880NWFTAG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R

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未分类
+1500：

￥3.093236

+4500：

￥3.025391

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NVTFS6H880NWFTAG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.9 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 370 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 175°C（TJ）