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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS2101PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET SC70 P-Channel ID=3.1A 下载数据手册未分类	+1：￥0.372777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 3.1A 功率(Pd)： 500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 80mΩ@4.5V,1.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.7nC@2.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 272pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)： 44pF@10V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

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	NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.970178 +100：￥0.656062 +800：￥0.48158 +3000：￥0.348964 +6000：￥0.33154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.699622 +100：￥0.660539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.908389 +100：￥0.892182 +500：￥0.87586 +1000：￥0.859653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.199321 +10：￥3.003327 +100：￥2.921429 +1000：￥2.740129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS2101PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +200：￥0.413619 +500：￥0.402159 +1000：￥0.395908 +2000：￥0.38549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS2101PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS2101PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +200：￥0.413619 +500：￥0.402159 +1000：￥0.395908 +2000：￥0.38549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.908389 +100：￥0.892182 +200：￥0.87586 +500：￥0.859653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.880837 +500：￥0.866251 +1000：￥0.858958 +3000：￥0.829901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.682611 +6000：￥0.62714 +9000：￥0.598684 +15000：￥0.566539 +21000：￥0.547402	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTS2101PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	640 pF 8 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	290mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-70-3（SOT323）
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.908389 +100：￥0.892182 +500：￥0.87586 +1000：￥0.859653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.199321 +10：￥3.003327 +100：￥2.921429 +1000：￥2.740129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS2101PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +200：￥0.413619 +500：￥0.402159 +1000：￥0.395908 +2000：￥0.38549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS2101PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS2101PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +200：￥0.413619 +500：￥0.402159 +1000：￥0.395908 +2000：￥0.38549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.908389 +100：￥0.892182 +200：￥0.87586 +500：￥0.859653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS2101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.880837 +500：￥0.866251 +1000：￥0.858958 +3000：￥0.829901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 8 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 8 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）