品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -

Technology： -

FET Type： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.1A (Ta), 23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -

Technology： -

FET Type： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.1A (Ta), 23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -

Technology： -

FET Type： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.1A (Ta), 23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： DFN-5

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 23 A

Rds On-漏源导通电阻： 23.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.2 V

Qg-栅极电荷： 6 nC

Pd-功率耗散： 28.8 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 22 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 28 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 12 ns

典型接通延迟时间： 7 ns

单位重量： 175 mg

温度： - 55 C~+ 175 C